解決方案
解決方案

蝕刻技術簡介

金屬蝕刻(又稱腐蝕反應)是一種利用化學或物理方法去除金屬材料的精密製程。此技術在加工過程中不會增加材料內部的應力,可精確獲得所需的加工圖案,適用於多種產業領域。

蝕刻原理

金屬蝕刻主要分為濕式蝕刻(Wet Etching)和乾式蝕刻(Dry Etching)。旭暉專注於濕式蝕刻技術,利用化學溶劑對金屬材料進行處理,具有高選擇性、高蝕刻速率、低設備成本等優勢。此方法不僅能在垂直方向上蝕刻,還能實現水平蝕刻效果。透過黃光製程,保護需要保留的材料區域,利用蝕刻液噴灑化學溶劑來移除多餘金屬材料,最終獲得精確的形狀與細節。

技術應用

旭暉專研OLED MASK蒸鍍遮罩多年,針對客戶的製程需求,發展出多段蝕刻與對位技術,以滿足各種設計要求。

製程能力

●蝕刻產品各類型板厚對應

遮罩類/ 一般物件 板厚T(mm) 尺寸公差(CD) 座標公差(TP) 極限設計
通用 高精度 通用 高精度 最小孔徑 最窄線寬
0.03~0.05 ±0.03mm ±0.006mm ±0.03mm ±0.006mm 0.05 100%*T
0.06~0.15 ±0.03mm ±0.015mm ±0.03mm ±0.015mm 100%*T 100%*T
0.20 ±0.03mm 依圖議定 ±0.03mm 依圖議定 100%*T 100%*T
0.30 ±0.03mm ±0.03mm 100%*T 100%*T
0.40 ±10%*T ±0.03mm 100%*T 100%*T
0.50 ±10%*T ±0.03mm 100%*T 100%*T
0.60~1.00 ±10%*T ±0.03mm 100%*T 100%*T
導線架 (L/F) 板厚T(mm) 最小寬度(A) 最小間距(B) 半蝕深度(C)
通用設計 通用公差 通用設計 通用公差 通用設計 通用公差
0.20 >0.30mm ±0.03mm T*0.75 ±0.03mm ≥0.12 ±0.03
0.25 >0.30mm ±0.03mm T*0.75 ±0.03mm ≥0.15 ±0.03
0.50 >0.30mm ±10%*T T*0.75 ±10%*T ≥0.33 ±0.03

●半蝕深度對應寬度設計

半蝕斷差 深度 寬度
單階 10um ≥250um
20um ≥400um
30um ≥550um
40um ≥700um
雙階 依設計圖評估

●OLED MASK剖面結構與規格

1.蒸鍍用MASK均導入開口半蝕設計,滿足常態型蒸鍍角TA=45±5度需求,須採二次 曝光製程,對位精度±50um。

2.通用設計規格:
   Step width <5um
   Step height ≤15um
   Taper angle 30~70°,可依圖面需求調整。
   Half depth常規型10~40um,特殊需求可另案評估。
   Half width與depth成正比。設計原則參考Table 1,特殊需求可另案評估。

3.蒸鍍型OPEN MASK

一般型

防刮型